等离子体束刻蚀（干刻蚀）

通常指利用辉光放电方式，产生包含等离子、电子等带电粒子及具有高度化学活性的中性原子与分子及自由基的等离子活性粒子扩散到需刻蚀的部位，与被刻蚀的材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除，从而完成图案转印的刻蚀技术，是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到晶圆上的不可替代的工艺过程。

会生成大量的Cl基、F基等活性自由基。它们对半导体器件进行刻蚀时，对设备的其他的零部 件包括铝合金，陶瓷结构件等的内表面产生腐蚀作用，这种强烈的侵蚀产生了大量的颗粒不仅导致需要频繁的维护生产设备，严重时甚至会导致刻蚀工艺腔的失效和器件的损坏。

Y₂O₃是一种化学性质和热学性质非常稳定的材料，熔点远超2400℃，能在强腐蚀环境下保持稳定，耐等离子的轰击可极大延长部件使用寿命并减少刻蚀腔内微粒。

主流方案是喷涂高纯度Y2O3涂层保护刻蚀腔室及其它关键部件。